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半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于()。

A、结晶形二氧化硅

B、无定形二氧化硅

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A.贵金属表面形成二氧化硅涂层即可

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D.贵金属表面用硅烷偶联剂处理

除盐水监督二氧化硅,是因为阴树脂对HSiO3-()最小,交换能力也就最弱,当运行到终点时,最先泄漏出的就是二氧化硅。因此除盐系统均把二氧化硅升高做为失效终点。

A、交换容量

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D、携带系数

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