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半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于()。
A、结晶形二氧化硅
B、无定形二氧化硅
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摩擦化学的方法增强贵金属表面的粘接强度,其操作步骤为()
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除盐水监督二氧化硅,是因为阴树脂对HSiO3-()最小,交换能力也就最弱,当运行到终点时,最先泄漏出的就是二氧化硅。因此除盐系统均把二氧化硅升高做为失效终点。
A、交换容量
B、选择系数
C、排斥性
D、携带系数