如图所示，两长直导线的电流I1＝I2，L是包围I1、I2的闭合曲线，下列说法正确的是（）。
A
L上各点的磁场强度H的量值相等，不等于0
B
L上各点的磁场强度H等于0
C
L上任一点的磁场强度H等于I1、I2在该点的磁场强度的叠加
D
L上各点的磁场强度H无法确定

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下述描述中哪项不是MRI成像仪磁场强度的定义（）

A、高场MRI的磁场强度范围≥2.0T

B、高场MRI的磁场强度范围≥1.5T

C、低场MRI的磁场强度0.1～0.38T

D、中场MRI的磁场强度0.3～1.0T

E、极低场磁场强度范围≤0.04T

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梯度场强等于()

A．梯度场一端的磁场强度／梯度场的长度

B．梯度场两端的磁场强度差值／梯度场的长度

C．梯度场两端的磁场强度之和／梯度场的长度

D．梯度场的磁场强度差值／梯度场的长度

E．梯度场一端较大的磁场强度／梯度场的长度

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如图7-1-4所示，两长直导线的电流I1=I2，L是包围I1、I2的闭合曲线，下列说法正确的是（）。
A.L上各点的磁场强度H的量值相等，不等于0B.L上各点的磁场强度H等于0C.L上任一点的磁场强度H等于I1、I2在该点的磁场强度的叠加D.L上各点的磁场强度H无法确定

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应用安培环路定律对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知：
A．在其外部，即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同B．r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度C．r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D．在其内部，即r

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通过塑料盘的光线亮度随所加磁场强度的平方成正比减弱。

对这句话的理解，正确的一项是：___

A:通过塑料盘的光线亮度的减弱与所加磁场强度减弱的平方成正比

B:通过塑料盘的光线亮度随所加磁场强度的增加而减弱，减弱程度与所加磁场强度的平方成正比

C:通过塑料盘的光线亮度的平方随所加磁场强度的平方而减弱，二者是成正比的

D:通过塑料盘的光线亮度随所加磁场强度的增加而减弱，减弱的程度与磁场的强度成正比

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