电子对

下列对电子对效应的叙述中，哪些是正确的（）

A、电子对效应发生的概率随物质的原子序数的增大而急剧增大

B、入射光子能量大小不会影响电子对方向

C、电子对效应发生的概率随光子能量的增大而增大

D、电子对效应发生的概率随光子能量的增加而减小

E、电子对效应作用产物为正、负电子对

关于电子对效应的以下说法错误的是（）

A、电子对效应中，入射光子消失

B、光子转化为1个正电子和1个负电子

C、普通X射线管发出的X射线，会出现电子对效应

D、加速器产生的高能X射线，会出现电子对效应

吡啶的碱性强于吡咯的原因是

A、吡啶N杂化方式是SP3，而吡咯N杂化方式是SP2

B、吡啶N杂化方式是SP2，而吡咯N杂化方式是SP3

C、吡啶孤电子对处在SP2轨道，而吡咯孤电子对处在P轨道

D、吡啶孤电子对处在SP2轨道，而吡咯孤电子对与碳原子四个P电子形成‘五原子六电子’的芳香体系

E、吡啶孤电子对处在P轨道，而吡咯孤电子对处在SP2轨道

A光电效应→康普顿散射→电子对效应

B光电效应→电子对效应→康普顿效应

C康普顿效应→电子对效应→光电效应

D电子对效应→光电效应→康普顿效应

X射线与物质相互作用中，如下哪一项是入射光子消失,其能量全部转换为其它粒子能量（）

A、光电效应，电子对效应，光核反应

B、光电效应，康普顿散射，相干散射

C、电子对效应，康普顿散射，光核反应

D、电子对效应，相干散射，核反应

E、康普顿散射，相干散射，电子对效应

每个CT体素单元中的相对电子密度由CT值转换得到，在CT检查所使用的kV条件下，主要受（）影响。

A、光电效应和电子对效应

B、康普顿散射和电子对效应

C、极化效应和光电效应

D、康普顿散射和光电效应

E、极化效应和电子对效应

各种效应对射线照相质量产生的影响是：（）

A、光电效应和康普顿效应有利于提高照相对比度

B、电子对效应和康普顿效应有利于提高照相对比度

C、光电效应和电子对效应有利于提高照相对比度

D、光电效应和电子对效应会降低照相对比度

如果γ射线入射到水中，则（）

A、10～30KeV光电效应占优势，30KeV～25MeV康普顿效应占优势，25～100MeV电子对效应占优势

B、10～30KeV康普顿效应占优势，30KeV～25MeV光电效应占优势，25～100MeV电子对效应占优势

C、10～30KeV电子对效应占优势，30KeV～25MeV康普顿效应占优势，25～100MeV光电效应占优势

D、10～30KeV光电效应占优势，30KeV～25MeV电子对效应占优势，25～100MeV康普顿效应占优势

E、10～30KeV康普顿效应占优势，30KeV～25MeV电子对效应占优势，25～100MeV光电效应占优势

A10～30keV光电效应占优势，30keV～25MeV康普顿效应占优势，25～100MeV电子对效应占优势

B10～30keV康普顿效应占优势，30keV～25MeV光电效应占优势，25～100MeV电子对效应占优势

C10～30keV电子对效应占优势，30keV～25MeV康普顿效应占优势，25～100MeV光电效应占优势

D10～30keV光电效应占优势，30keV～25MeV电子对效应占优势，25～100MeV康普顿效应占优势

E10～30keV康普顿效应占优势，30keV～25MeV电子对效应占优势，25～100MeV光电效应占优势

（2）CH4中共用电子对偏向C、SiH4中共用电子对偏向H，则C、Si、H的电负性由大到小的顺序为________。

当能量大于1.02MeV的γ光子从原子核附近穿过时，可能产生一个正负电子对，而光子本身消失

A、康普顿效应

B、光电效应

C、电子对生成

D、电离

E、激发

在一般的工业探伤中，射线与物质相互作用时，主要产生的二个效应是（）

A、光电效应和电子对效应

B、光电效应和康普顿散射

C、康普顿散射和电子对效应

D、康普顿散射和电离

在X线诊断能量范围内，利用了X线与物质相互作用的形式是（）

A、相干散射和光电效应

B、光电效应和康普顿效应

C、康普顿效应和电子对效应

D、电子对效应和光核反应

E、光核反应和相干散射

137Cs7射线和物质的主要相互作用是

A.光电效应

B.弹性散射

C.电子对效应

D.康普顿效应

E.光核反应

对于不同物质和不同能量区域，光电效应、康普顿效应、电子对效应各自占优势的区域是：（）

A、对于低能量射线和原子序数高的物质，光电效应占优势

B、对于中等能量射线和原子序数低的物质，康普顿效应占优势

C、对于高能量射线和原子序数高的物质，电子对效应占优势

D、以上都是

共用电子对偏向一方的共价键是极性共价键